Neue Flash- Speicherentwicklung von Samsung

Noch mehr Speicher auf noch kleinerem Raum mit noch geringerem Stromverbrauch verspricht Samsung mit einem neuen Produktionsverfahren im 30-Nanometer-Prozess. Auf dieser Basis sollen ab 2009 Flashspeicher-Bausteine mit 64 Gigabit (8 Gigabyte) Kapazität in MLC-Technik (Multi Level Cell) hergestellt werden. Auf einem Speichermedium finden meist mehrere dieser Bausteine Platz und Samsung gibt an, dass bis zu 16 Stück kombiniert werden können, um eine maximale Kapazität von 128 Gigabyte zu erreichen. Gleichzeitig arbeiten die Koreaner auch an einem SLC-Pendant (Single Level Cell), das zum Beispiel in schnelleren Profi-Speicherkarten zum Einsatz kommt. Es bietet nur die halbe Kapazität von 32 Gigabit (4 Gigabyte) pro Baustein, ist aber weniger fehleranfällig und schneller bei den Transfer- und Zugriffsraten. Der neue Fertigungsprozess im 30-Nanometer-Verfahren dürfte nicht nur Speicherkarten und internen Kamerakapazitäten zugute kommen, auch Festplatten mit Flashtechnik dürften dann allmählich in vernünftige Preisregionen rutschen.